Транзистор кт837 характеристики цоколевка - Строительство домов и бань
196 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Транзистор кт837 характеристики цоколевка

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829.

Транзисторы КТ837(2Т837)

Т ранзисторы КТ837(2Т837) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т — от 10 до 40
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У — от 20 до 80
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф — от 50 до 150
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — от 15 до 120
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д — от 30 до 150
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — от 40 до 180

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н — 60 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С — 45 в.
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — 30 в.
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — 55 в.
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б — 45 в.
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — 35 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 — 7,5 А.
У всех транзисторов 2Т837 — 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н — не более 2,5 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — не более 0,5 в.
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С — не более 0,9 в.

Обратный ток коллектора. — не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора.30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А — 2SD685
КТ837Б — 2T7534C
КТ837В — 2SB834, 2SB906
КТ837Д — 2N6111

Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А — 100в.
У транзисторов КТ829Б — 80в.
У транзисторов КТ829А — 60в.
У транзисторов КТ829Г — 45в.

Максимальный ток коллектора8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию — не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию — не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА — не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
— не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора.60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А — 2SD686
КТ829Б — BD263
КТ829В — TIP122
КТ829Д — BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор кт837 характеристики цоколевка

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

Читать еще:  Как отмотать счетчик электроэнергии меркурий 201

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Наимен.типUкбо(и),ВUкэо(и), ВIкmax(и), мАPкmax(т), Втh21эIкбо, мкАfгр., МГцUкэн, В
КТ837Аp-n-p80607500(30)10-40150«>1КТ837Б80607500(30)20-80150«>1КТ837В80607500(30)50-150150«>1КТ837Г60457500(30)10-40150«>1КТ837Д60457500(30)20-80150«>1КТ837Е60457500(30)50-150150«>1КТ837Ж45307500(30)10-40150«>1КТ837И45307500(30)20-80150«>1КТ837К45307500(30)50-150150«>1КТ837Л80607500(30)10-40150«>1КТ837М80607500(30)20-80150«>1КТ837Н80607500(30)50-150150«>1КТ837П60457500(30)10-40150«>1КТ837Р60457500(30)20-80150«>1КТ837С60457500(30)50-150150«>1КТ837Т45307500(30)10-40150«>1КТ837У45307500(30)20-80150«>1КТ837Ф45307500(30)50-150150«>1

Корпус:

Uкбо— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо— Обратный ток коллектора
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Я помню, эти транзиторы использовались в качестве выходных силовых стабилизаторов напряжения лампово-полупроводниковых телевизоров и более современных конца 80-х. середины 90-х, телевизорах 2-го и 3-го поколения с импульсными источниками питания в качестве стабилизаторов напряжения по линии 12В. Отличные, надежные приборы. У меня установлен в самодельном стабилизаторе напряжения, все идеально, не забывайте только при работе о рассеиваемой мощности, устанавливайте на радиатор 🙂

Эти транзисторы были специально разработаны для замены германиевых транзисторов П213. П217 и являются их полными аналогами. В первых пачках этих транзисторов даже лежал вкладыш с таблицей, где было написано, что в связи с нехваткой германия.
А также была таблица соответствия транзисторов КТ837 с определённой буквой транзисторам П213-П217. Вот бы эту таблицу найти!

На «ЖИГУЛЕ» в реле зарядки 121.3702 КТ837Ф замкнул второй раз за три года.

Хотелось бы и проводимость узнать (прямая или обратная)!

КТ837 , 2Т837 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ837Ф

В наличии лишь 1

  • Описание
  • Отзывы (0)

Описание

КТ837Ф

Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
(РК. Т. max)
h21ЭUКЭ
нас.
IКБОIЭБОIКЭRf гp.СКСЭ
ААВВBВтВмАмAмАМГцпФпФ°С°С
КТ837Аp-n-p7,57080151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Бp-n-p7,57080151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Вp-n-p7,57080151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Гp-n-p7,55560151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Дp-n-p7,55560151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Еp-n-p7,55560151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Жp-n-p7,54045151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Иp-n-p7,54045151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Кp-n-p7,54045151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Лp-n-p7,5708051 (30)10…401125-60…+100
КТ837Мp-n-p7,5708051 (30)20…801125-60…+100
КТ837Нp-n-p7,5708051 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Пp-n-p7,5556051 (30)10…401125-60…+100
КТ837Рp-n-p7,5556051 (30)20…801125-60…+100
КТ837Сp-n-p7,5556051 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Тp-n-p7,5404551 (30)10…401125-60…+100
КТ837Уp-n-p7,5404551 (30)20…801125-60…+100
КТ837Фp-n-p7,5404551 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Хp-n-p7,518018051 (30)>151125-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие этот товар, могут публиковать отзывы.

Транзистор кт837 характеристики цоколевка

ГлавнаяО сайтеТеорияПрактикаКонтакты

Высказывания:
Творческое мышление, возможно, означает всего-навсего понимание, что нет никакой особой добродетели в том, чтобы вести дела так, как их всегда вели до нас.

Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора КТ837Р

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора КТ837Р . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
300006055575001000000

Производитель: Интеграл
Сфера применения:
Популярность: 567
Дополнительные параметры транзистора КТ837Р: Корпус: TO-220.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора КТ837Р

Общий вид транзистора КТ837Р.Цоколевка транзистора КТ837Р.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-08-25 11:24:37.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора КТ837Р.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы КТ837(2Т837)

Т ранзисторы КТ837(2Т837) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т — от 10 до 40
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У — от 20 до 80
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф — от 50 до 150
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — от 15 до 120
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д — от 30 до 150
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — от 40 до 180

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н — 60 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С — 45 в.
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — 30 в.
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — 55 в.
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б — 45 в.
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — 35 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 — 7,5 А.
У всех транзисторов 2Т837 — 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н — не более 2,5 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — не более 0,5 в.
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С — не более 0,9 в.

Обратный ток коллектора. — не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора.30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А — 2SD685
КТ837Б — 2T7534C
КТ837В — 2SB834, 2SB906
КТ837Д — 2N6111

Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А — 100в.
У транзисторов КТ829Б — 80в.
У транзисторов КТ829А — 60в.
У транзисторов КТ829Г — 45в.

Максимальный ток коллектора8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию — не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию — не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА — не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
— не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора.60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А — 2SD686
КТ829Б — BD263
КТ829В — TIP122
КТ829Д — BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Описание «КТ837Ф»

КТ837Ф
Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50. 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector